Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > IPB019N08N3GATMA1
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6123225Gambar IPB019N08N3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB019N08N3GATMA1

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1000+
$3.449
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    IPB019N08N3GATMA1
  • Pabrikan / Merek
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    IPB019N08N3GATMA1.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PG-TO263-7
  • Seri
    OptiMOS™
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    300W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Nama lain
    IPB019N08N3 G
    IPB019N08N3 G-ND
    IPB019N08N3 GTR-ND
    IPB019N08N3G
    IPB019N08N3GATMA1TR
    Q4136793
    SP000444110
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    14200pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    6V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    80V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 80V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "IPB019N08N3GATMA1".
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB015N04NGATMA1

IPB015N04NGATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB015N04LGATMA1

IPB015N04LGATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.