Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - IGBT - Tunggal > GPA030A135MN-FDR
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2104326Gambar GPA030A135MN-FDR.Global Power Technologies Group

GPA030A135MN-FDR

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$2.394
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    GPA030A135MN-FDR
  • Pabrikan / Merek
    SemiQ
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    GPA030A135MN-FDR.pdf
  • Model ECAD
  • Tegangan - Kolektor Emitter Breakdown (Max)
    1350V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 30A
  • Tes kondisi
    600V, 30A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    30ns/145ns
  • beralih Energi
    4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-3PN
  • Seri
    -
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    450ns
  • Listrik - Max
    329W
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-3
  • Nama lain
    1560-1221-1
    1560-1221-1-ND
    1560-1221-5
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipe masukan
    Standard
  • IGBT Jenis
    Trench Field Stop
  • gerbang Mengisi
    300nC
  • Detil Deskripsi
    IGBT Trench Field Stop 1350V 60A 329W Through Hole TO-3PN
  • Saat ini - Kolektor Pulsed (ICM)
    90A
  • Saat ini - Kolektor (Ic) (Max)
    60A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "GPA030A135MN-FDR".
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Deskripsi: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Deskripsi: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Deskripsi: DIODE GPP 8A D2PAK

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Deskripsi: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Deskripsi: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Deskripsi: DIODE GPP 8A TO220AC

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Deskripsi: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Deskripsi: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Deskripsi: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Deskripsi: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Deskripsi: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Deskripsi: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Deskripsi: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Deskripsi: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Produsen: Bergquist
Persediaan
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Deskripsi: DIODE GPP 8A TO220AC

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Deskripsi: DIODE GPP 8A D2PAK

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.