Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > GP2M020A060N
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
516983Gambar GP2M020A060N.Global Power Technologies Group

GP2M020A060N

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    GP2M020A060N
  • Pabrikan / Merek
    SemiQ
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    GP2M020A060N.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-3PN
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 10A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    347W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Nama lain
    1560-1214-1
    1560-1214-1-ND
    1560-1214-5
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    3184pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "GP2M020A060N".
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Deskripsi: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP2S27T

GP2S27T

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2S24

GP2S24

Deskripsi: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.