Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > GP1M009A020HG
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5344431Gambar GP1M009A020HG.Global Power Technologies Group

GP1M009A020HG

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    GP1M009A020HG
  • Pabrikan / Merek
    SemiQ
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 200V 9A TO220
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    GP1M009A020HG.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-220
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    52W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-220-3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    414pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    200V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "GP1M009A020HG".
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Deskripsi: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Deskripsi: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Deskripsi: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Deskripsi: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Deskripsi: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Produsen: Global Power Technologies Group
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.