Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > ISL9R8120S3ST
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
331649Gambar ISL9R8120S3ST.Fairchild/ON Semiconductor

ISL9R8120S3ST

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    ISL9R8120S3ST
  • Pabrikan / Merek
    Fairchild (onsemi)
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    ISL9R8120S3ST.pdf
  • Tegangan - Puncak terbalik (Max)
    Standard
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    8A
  • Tegangan - Breakdown
    TO-263AB
  • Seri
    Stealth™
  • Status RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistance @ Jika, F
    30pF @ 10V, 1MHz
  • Polarisasi
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Nama lain
    ISL9R8120S3ST-ND
    ISL9R8120S3STFSTR
  • Suhu Operasional - Junction
    300ns
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Nomor Bagian Produsen
    ISL9R8120S3ST
  • Deskripsi yang Diperluas
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
  • Konfigurasi diode
    100µA @ 1200V
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    3.3V @ 8A
  • Saat ini - rata Rectified (Io) (per Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Kapasitansi @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "ISL9R8120S3ST".
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R3060P2

ISL9R3060P2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9V2040S3S

ISL9V2040S3S

Deskripsi: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

Deskripsi: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

Deskripsi: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

Deskripsi: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9V2540S3ST

ISL9V2540S3ST

Deskripsi: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R860P2

ISL9R860P2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9V2040S3ST

ISL9V2040S3ST

Deskripsi: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R8120P2

ISL9R8120P2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R18120S3ST

ISL9R18120S3ST

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R3060G2

ISL9R3060G2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9V2040P3

ISL9V2040P3

Deskripsi: IGBT 430V 10A 130W TO220AB

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
ISL9R460P2

ISL9R460P2

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.