Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHP30N60E-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6903483Gambar SIHP30N60E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHP30N60E-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$6.92
10+
$6.181
100+
$5.069
500+
$4.104
1000+
$3.462
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIHP30N60E-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SIHP30N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seri
    E
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 15A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    250W (Tc)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    TO-220-3
  • Nama lain
    SIHP30N60E-GE3CT
    SIHP30N60E-GE3CT-ND
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2600pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    29A (Tc)

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIHP30N60E-GE3".
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP25N40D-E3

SIHP25N40D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP4N80E-GE3

SIHP4N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP25N40D-GE3

SIHP25N40D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.