Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHG30N60E-E3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4549427Gambar SIHG30N60E-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG30N60E-E3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
500+
$4.51
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIHG30N60E-E3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SIHG30N60E-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-247AC
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 15A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    250W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-247-3
  • Nama lain
    SIHG30N60EE3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2600pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    29A (Tc)

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIHG30N60E-E3".
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG24N65E-GE3

SIHG24N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG25N40D-E3

SIHG25N40D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG24N65EF-GE3

SIHG24N65EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG35N60E-GE3

SIHG35N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHG28N60EF-GE3

SIHG28N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.