Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHG17N80E-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2459125Gambar SIHG17N80E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG17N80E-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$6.27
10+
$5.595
100+
$4.588
500+
$3.715
1000+
$3.133
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIHG17N80E-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
  • Lembar data
    SIHG17N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-247AC
  • Seri
    E
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    208W (Tc)
  • Paket / Case
    TO-247-3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2408pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    800V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 800V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIHG17N80E-GE3".
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG16N50C-E3

SIHG16N50C-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 600V

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHFS11N50A-GE3

SIHFS11N50A-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 11A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG22N50D-E3

SIHG22N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHFS9N60A-GE3

SIHFS9N60A-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG17N60D-GE3

SIHG17N60D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.