Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHD6N80E-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3433684Gambar SIHD6N80E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD6N80E-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$2.45
10+
$2.212
100+
$1.778
500+
$1.383
1000+
$1.146
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIHD6N80E-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CHAN 800V TO-252
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SIHD6N80E-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    D-PAK (TO-252AA)
  • Seri
    E
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    78W (Tc)
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    827pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    800V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIHD6N80E-GE3".
SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHF10N40D-E3

SIHF10N40D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHF12N60E-E3

SIHF12N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.