Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

*Nama Perusahaan
*Nama
*Judul

*Alamat email
*Nomor telepon

*Negara
*Jendela kontak
*Tanggal acara

*Pesan

Untuk pengunjung di electronica 2024

Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.

Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHD12N50E-GE3

RFQs/pesanan (0)

Indonesia

Indonesia

3612021

Gambar SIHD12N50E-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD12N50E-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan

1+

$2.07

10+

$1.868

100+

$1.501

500+

$1.167

1000+

$0.967

Pertanyaan online

Spesifikasi

Nomor bagian

SIHD12N50E-GE3
Pabrikan / Merek

Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuantitas stok

Persediaan
Deskripsi

MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Memimpin Status Bebas / Status RoHS

Memimpin bebas / RoHS Compliant
Lembar data

SIHD12N50E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok

D-PAK (TO-252AA)
Seri

E
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V
Power Disipasi (Max)

114W (Tc)
Pengemasan

Tube
Paket / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nama lain

SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3CT-ND
Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TA)
mount Jenis

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS

886pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
FET Jenis

N-Channel
Fitur FET

-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)

10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)

550V
Detil Deskripsi

N-Channel 550V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

Berita Terkait
pengiriman
Pembayaran

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

Pengiriman

Pembayaran

Berikut ini adalah produk terkait "SIHD12N50E-GE3".

SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB6N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB35N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD5N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB8N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD14N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB30N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD3N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD5N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD4N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD6N62E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB30N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD5N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Produsen: Vishay Siliconix

Persediaan

SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD3N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHB33N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIHD2N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.

Ikuti kami

Syarat & Ketentuan Kebijakan Pelanggaran Permintaan Penawaran Tentang kami Hubungi kami Peta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.