Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHB21N65EF-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6165363Gambar SIHB21N65EF-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB21N65EF-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$5.88
50+
$4.725
100+
$4.305
500+
$3.486
1000+
$2.94
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIHB21N65EF-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SIHB21N65EF-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    D²PAK (TO-263)
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    208W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2322pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    106nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    650V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIHB21N65EF-GE3".
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 600V

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.