Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI7655DN-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3732292Gambar SI7655DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7655DN-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.823
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI7655DN-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI7655DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    3.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-PowerVDFN
  • Nama lain
    SI7655DN-T1-GE3TR
    SI7655DNT1GE3
  • Suhu Operasional
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    6600pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    225nC @ 10V
  • FET Jenis
    P-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    2.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    20V
  • Detil Deskripsi
    P-Channel 20V 40A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI7655DN-T1-GE3".
SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

Deskripsi: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Produsen: Maxim Integrated
Persediaan
RFQ
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7661CSA+

SI7661CSA+

Deskripsi: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Produsen: Maxim Integrated
Persediaan
RFQ
SI7668ADP-T1-E3

SI7668ADP-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7661ESA+T

SI7661ESA+T

Deskripsi: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Produsen: Maxim Integrated
Persediaan
RFQ
SI7661DJ

SI7661DJ

Deskripsi: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Produsen: Maxim Integrated
Persediaan
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7664DP-T1-E3

SI7664DP-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7661CJ+

SI7661CJ+

Deskripsi: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Produsen: Maxim Integrated
Persediaan
RFQ
SI7664DP-T1-GE3

SI7664DP-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI7661ESA+

SI7661ESA+

Deskripsi: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Produsen: Maxim Integrated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.