Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Array > SI4966DY-T1-E3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4814441

SI4966DY-T1-E3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.893
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4966DY-T1-E3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4966DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Listrik - Max
    2W
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4966DY-T1-E3-ND
    SI4966DY-T1-E3TR
    SI4966DYT1E3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    2 N-Channel (Dual)
  • Fitur FET
    Logic Level Gate
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    20V
  • Detil Deskripsi
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    -
  • Nomor Bagian Dasar
    SI4966

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4966DY-T1-E3".
SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4992EY-T1-GE3

SI4992EY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.