Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Array > SI4910DY-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3702968

SI4910DY-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4910DY-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4910DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 6A, 10V
  • Listrik - Max
    3.1W
  • Pengemasan
    Original-Reel®
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4910DY-T1-GE3DKR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    855pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET Jenis
    2 N-Channel (Dual)
  • Fitur FET
    Standard
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    40V
  • Detil Deskripsi
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    7.6A
  • Nomor Bagian Dasar
    SI4910

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4910DY-T1-GE3".
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.