Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI4488DY-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
158102

SI4488DY-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.93
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4488DY-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4488DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.56W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4488DY-T1-GE3TR
    SI4488DYT1GE3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    150V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 150V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4488DY-T1-GE3".
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.