Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI4434DY-T1-E3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
377027

SI4434DY-T1-E3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$1.239
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4434DY-T1-E3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4434DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    155 mOhm @ 3A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.56W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4434DY-T1-E3TR
    SI4434DYT1E3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    6V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    250V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 250V 2.1A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.1A (Ta)

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4434DY-T1-E3".
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Deskripsi: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Deskripsi: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Deskripsi: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Deskripsi: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Deskripsi: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.