Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI4396DY-T1-E3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1711833

SI4396DY-T1-E3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4396DY-T1-E3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4396DY-T1-E3.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
  • Pengemasan
    Original-Reel®
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4396DY-T1-E3DKR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1675pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 16A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4396DY-T1-E3".
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4378DY-T1-E3

SI4378DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4398DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4384DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4378DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4401DY-T1-E3

SI4401DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.