Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Array > SI3590DV-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1296008Gambar SI3590DV-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3590DV-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$1.09
10+
$0.954
100+
$0.736
500+
$0.545
1000+
$0.436
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI3590DV-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI3590DV-T1-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Paket Perangkat pemasok
    6-TSOP
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    77 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Listrik - Max
    830mW
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Nama lain
    SI3590DV-T1-GE3CT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.5nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    N and P-Channel
  • Fitur FET
    Logic Level Gate
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.5A, 1.7A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI3590DV-T1-GE3".
SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3812DV-T1-GE3

SI3812DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3853DV-T1-E3

SI3853DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3850ADV-T1-GE3

SI3850ADV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3851DV-T1-E3

SI3851DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3831DV-T1-E3

SI3831DV-T1-E3

Deskripsi: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3850ADV-T1-E3

SI3850ADV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3831DV-T1-GE3

SI3831DV-T1-GE3

Deskripsi: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.