Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI3477DV-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2663957Gambar SI3477DV-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3477DV-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.317
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI3477DV-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI3477DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    6-TSOP
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    17.5 mOhm @ 9A, 4.5V
  • Power Disipasi (Max)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Nama lain
    SI3477DV-T1-GE3TR
    SI3477DVT1GE3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2600pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • FET Jenis
    P-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    1.8V, 4.5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    12V
  • Detil Deskripsi
    P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI3477DV-T1-GE3".
SI3481DV-T1-E3

SI3481DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3483CDV-T1-E3

SI3483CDV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3481DV-T1-GE3

SI3481DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3482-A01-GMR

SI3482-A01-GMR

Deskripsi: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3480-A01-GM

SI3480-A01-GM

Deskripsi: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI3480MS8-KIT

SI3480MS8-KIT

Deskripsi: KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI3473DV-T1-GE3

SI3473DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3482-A01-GM

SI3482-A01-GM

Deskripsi: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI3483-A02-GMR

SI3483-A02-GMR

Deskripsi: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3473DDV-T1-GE3

SI3473DDV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3473DV-T1-E3

SI3473DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3475DV-T1-GE3

SI3475DV-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3480-A01-GMR

SI3480-A01-GMR

Deskripsi: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI3483-A02-GM

SI3483-A02-GM

Deskripsi: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.