Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI1058X-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3224679Gambar SI1058X-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1058X-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI1058X-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 20V SC89
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI1058X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.55V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SC-89-6
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Power Disipasi (Max)
    236mW (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    380pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.9nC @ 5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    2.5V, 4.5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    20V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI1058X-T1-GE3".
SI1064-A-GM

SI1064-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1051X-T1-E3

SI1051X-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1063-A-GM

SI1063-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1063-A-GMR

SI1063-A-GMR

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V SC-89

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1054X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1061-A-GM

SI1061-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1062-A-GM

SI1062-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1062-A-GMR

SI1062-A-GMR

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1061-A-GMR

SI1061-A-GMR

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.