Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI1011X-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3250085Gambar SI1011X-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1011X-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI1011X-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET P-CH 12V SC-89
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI1011X-T1-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SC-89-3
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    640 mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Power Disipasi (Max)
    190mW (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    SC-89, SOT-490
  • Nama lain
    SI1011X-T1-GE3TR
    SI1011XT1GE3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    62pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    P-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    1.2V, 4.5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    12V
  • Detil Deskripsi
    P-Channel 12V 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI1011X-T1-GE3".
SI1010-C-GM2R

SI1010-C-GM2R

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1005-E-GM2R

SI1005-E-GM2R

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1011-C-GM2R

SI1011-C-GM2R

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012-C-GM2R

SI1012-C-GM2R

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1010-C-GM2

SI1010-C-GM2

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1011-C-GM2

SI1011-C-GM2

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1010-A-GM

SI1010-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI1012-A-GM

SI1012-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012-TP

SI1012-TP

Deskripsi: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
SI1012-A-GMR

SI1012-A-GMR

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012-C-GM2

SI1012-C-GM2

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1011-A-GM

SI1011-A-GM

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1010-A-GMR

SI1010-A-GMR

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1011-A-GMR

SI1011-A-GMR

Deskripsi: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1010DK

SI1010DK

Deskripsi: DEVELOPMENT KIT SI101X

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.