Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > NSB8MTHE3_A/P
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4465244Gambar NSB8MTHE3_A/P.Electro-Films (EFI) / Vishay

NSB8MTHE3_A/P

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1000+
$0.662
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    NSB8MTHE3_A/P
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    NSB8MTHE3_A/P.pdf
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    1.1V @ 8A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    1000V
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-263AB
  • Kecepatan
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seri
    Automotive, AEC-Q101
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Suhu Operasional - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    8A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "NSB8MTHE3_A/P".
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Deskripsi: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Deskripsi: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Deskripsi: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Deskripsi: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Deskripsi: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Deskripsi: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Deskripsi: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB9703

NSB9703

Deskripsi: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Produsen: Desco
Persediaan
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Deskripsi: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Deskripsi: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.