Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > ZXMN6A08E6TA
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4848331Gambar ZXMN6A08E6TA.Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TA

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.99
10+
$0.871
100+
$0.672
500+
$0.498
1000+
$0.398
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    ZXMN6A08E6TA
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    ZXMN6A08E6TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-26
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 4.8A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.1W (Ta)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    SOT-23-6
  • Nama lain
    ZXMN6A08E6CT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    459pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    60V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "ZXMN6A08E6TA".
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 60VSOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Deskripsi: MOSFETN-CH 60VSOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.