Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > ZXMN2F30FHTA
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6078354Gambar ZXMN2F30FHTA.Diodes Incorporated

ZXMN2F30FHTA

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.54
10+
$0.423
100+
$0.29
500+
$0.199
1000+
$0.149
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    ZXMN2F30FHTA
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    ZXMN2F30FHTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-23-3
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Power Disipasi (Max)
    960mW (Ta)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nama lain
    ZXMN2F30FHCT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    27 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    452pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    2.5V, 4.5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    20V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 20V 4.1A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    4.1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "ZXMN2F30FHTA".
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2A05N8TA

ZXMN2A05N8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.