Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > ZXMN10A08E6TC
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2257562Gambar ZXMN10A08E6TC.Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TC

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
10000+
$0.25
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    ZXMN10A08E6TC
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    ZXMN10A08E6TC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-26
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.1W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    SOT-23-6
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    405pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    6V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    100V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 100V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "ZXMN10A08E6TC".
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Deskripsi: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Deskripsi: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.