Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMT6016LSS-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3055747Gambar DMT6016LSS-13.Diodes Incorporated

DMT6016LSS-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.214
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMT6016LSS-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMT6016LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.5W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    DMT6016LSS-13DITR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    864pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    60V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 60V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    9.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMT6016LSS-13".
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Deskripsi: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Deskripsi: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Deskripsi: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Deskripsi: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.