Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMT6009LFG-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
907331Gambar DMT6009LFG-13.Diodes Incorporated

DMT6009LFG-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.531
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMT6009LFG-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMT6009LFG-13.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerDI3333-8
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-PowerWDFN
  • Nama lain
    DMT6009LFG-13DI
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1925pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    60V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 34A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMT6009LFG-13".
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 11A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Deskripsi: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.