Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMT6002LPS-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2436059

DMT6002LPS-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.854
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMT6002LPS-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMT6002LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerDI5060-8
  • Seri
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 50A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2.3W
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-PowerTDFN
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    6555pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130.8nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    6V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    60V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMT6002LPS-13".
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Deskripsi: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Deskripsi: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Deskripsi: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Deskripsi: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 22A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Deskripsi: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Deskripsi: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Deskripsi: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.