Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMT10H025SSS-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2858396Gambar DMT10H025SSS-13.Diodes Incorporated

DMT10H025SSS-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.258
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMT10H025SSS-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFETN-CHAN 100V SO-8
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMT10H025SSS-13.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 20A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.4W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    DMT10H025SSS-13DITR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1544pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21.4nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    6V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    100V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 100V 7.4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    7.4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMT10H025SSS-13".
DMT1D68K

DMT1D68K

Deskripsi: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Deskripsi: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT1D33K

DMT1D33K

Deskripsi: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 10A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V SO-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Deskripsi: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Deskripsi: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Deskripsi: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Deskripsi: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Deskripsi: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 10A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT1D68K-F

DMT1D68K-F

Deskripsi: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT1P15K-F

DMT1P15K-F

Deskripsi: CAP FILM 0.15UF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Deskripsi: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Deskripsi: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Deskripsi: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT1D47K-F

DMT1D47K-F

Deskripsi: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.