Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMNH10H028SPSQ-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1796822Gambar DMNH10H028SPSQ-13.Diodes Incorporated

DMNH10H028SPSQ-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.928
5000+
$0.894
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMNH10H028SPSQ-13.pdf
  • Model ECAD
  • Tegangan - Uji
    2245pF @ 50V
  • Tegangan - Breakdown
    PowerDI5060-8
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seri
    -
  • Status RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    40A (Tc)
  • Polarisasi
    8-PowerTDFN
  • Nama lain
    DMNH10H028SPSQ-13DITR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    16 Weeks
  • Nomor Bagian Produsen
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    36nC @ 10V
  • IGBT Jenis
    ±20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Fitur FET
    N-Channel
  • Deskripsi yang Diperluas
    N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    -
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    100V
  • kapasitansi Ratio
    1.6W (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMNH10H028SPSQ-13".
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Deskripsi: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Produsen: Panduit
Persediaan
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Deskripsi: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Produsen: Panduit
Persediaan
RFQ
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Deskripsi: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Produsen: Panduit
Persediaan
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Deskripsi: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Produsen: Panduit
Persediaan
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Deskripsi: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Produsen: Panduit
Persediaan
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Deskripsi: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Deskripsi: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Produsen: Panduit
Persediaan
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Deskripsi: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.