Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN60H080DS-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4203774Gambar DMN60H080DS-7.Diodes Incorporated

DMN60H080DS-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.101
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN60H080DS-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN60H080DS-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-23-3
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    100 Ohm @ 60mA, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.1W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nama lain
    DMN60H080DS-7-ND
    DMN60H080DS-7DITR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    25pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    80mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN60H080DS-7".
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.