Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN3025LSS-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5004045Gambar DMN3025LSS-13.Diodes Incorporated

DMN3025LSS-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.51
10+
$0.411
100+
$0.28
500+
$0.21
1000+
$0.157
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN3025LSS-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN3025LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 10A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.4W (Ta)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    DMN3025LSS-13DICT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    641pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 7.2A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN3025LSS-13".
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Deskripsi: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.