Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMG4N60SJ3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4640702

DMG4N60SJ3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
75+
$0.692
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMG4N60SJ3
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET NCH 600V 3A TO251
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMG4N60SJ3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-251
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    41W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    30 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    532pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMG4N60SJ3".
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Deskripsi: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Produsen: Panasonic
Persediaan
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Deskripsi: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Produsen: Panasonic
Persediaan
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Deskripsi: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Deskripsi: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Produsen: Panasonic
Persediaan
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Deskripsi: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Produsen: Panasonic
Persediaan
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Deskripsi: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG564010R

DMG564010R

Deskripsi: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Produsen: Panasonic
Persediaan
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Deskripsi: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Deskripsi: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Produsen: Panasonic
Persediaan
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Deskripsi: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Produsen: Panasonic
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.