Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMG3N60SJ3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1484652

DMG3N60SJ3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
75+
$0.62
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMG3N60SJ3
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMG3N60SJ3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-251
  • Seri
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    41W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Manufacturer Standard Lead Time
    22 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    354pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    650V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 650V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMG3N60SJ3".
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Deskripsi: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Deskripsi: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Deskripsi: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.