Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Sirkuit Terpadu (ICS) > Ingatan > AS4C16M32MSA-6BIN
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5548335Gambar AS4C16M32MSA-6BIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MSA-6BIN

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$6.06
10+
$5.529
25+
$5.424
50+
$5.387
190+
$4.832
380+
$4.814
570+
$4.513
1140+
$4.321
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    AS4C16M32MSA-6BIN
  • Pabrikan / Merek
    Alliance Memory, Inc.
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    AS4C16M32MSA-6BIN.pdf
  • Model ECAD
  • Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman
    15ns
  • Tegangan - Pasokan
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Paket Perangkat pemasok
    90-FBGA (8x13)
  • Seri
    -
  • Pengemasan
    Tray
  • Paket / Case
    90-VFBGA
  • Nama lain
    1450-1458
    AS4C16M32MSA-6BIN-ND
  • Suhu Operasional
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • memory Type
    Volatile
  • Ukuran memori
    512Mb (16M x 32)
  • Antarmuka Memori
    Parallel
  • Format Memori
    DRAM
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detil Deskripsi
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Frekuensi Jam
    166MHz
  • Waktu akses
    5.4ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "AS4C16M32MSA-6BIN".
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Deskripsi: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Deskripsi: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Deskripsi: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Deskripsi: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Deskripsi: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Deskripsi: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Deskripsi: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Deskripsi: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Deskripsi: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Deskripsi: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produsen: Alliance Memory, Inc.
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.