Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > FDB016N04AL7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3231484Gambar FDB016N04AL7.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB016N04AL7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
800+
$2.76
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    FDB016N04AL7
  • Pabrikan / Merek
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    FDB016N04AL7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    D²PAK (TO-263)
  • Seri
    PowerTrench®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    1.6 mOhm @ 80A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    283W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Nama lain
    FDB016N04AL7-ND
    FDB016N04AL7TR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    39 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    11600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    167nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    40V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 40V 160A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "FDB016N04AL7".
FDB-GP

FDB-GP

Deskripsi: CONN GUIDE PLATE

Produsen: Hirose
Persediaan
RFQ
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB-1053-10BK-EL

FDB-1053-10BK-EL

Deskripsi: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD

Produsen: Finisar Corporation
Persediaan
RFQ
FDB-1048

FDB-1048

Deskripsi: WAVELENGTH TUNING BOX

Produsen: Finisar Corporation
Persediaan
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB-S

FDB-S

Deskripsi: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Produsen: Hirose
Persediaan
RFQ
FDB031N08

FDB031N08

Deskripsi: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

Deskripsi: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

Produsen: Finisar Corporation
Persediaan
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 460A

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB-1051

FDB-1051

Deskripsi: EVAL BOARD FOR QSFP

Produsen: Finisar Corporation
Persediaan
RFQ
FDB029N06

FDB029N06

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDB-1052

FDB-1052

Deskripsi: EVAL BRD TUNABLE SFP+.

Produsen: Finisar Corporation
Persediaan
RFQ
FDB-P

FDB-P

Deskripsi: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Produsen: Hirose
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.