Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > BS108G
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3400805

BS108G

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    BS108G
  • Pabrikan / Merek
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    BS108G.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-92-3
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 2.8V
  • Power Disipasi (Max)
    350mW (Ta)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    150pF @ 25V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    2V, 2.8V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    200V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "BS108G".
BS120

BS120

Deskripsi: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
BS107G

BS107G

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
BS107PSTZ

BS107PSTZ

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
BS107P

BS107P

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
BS12I-MC

BS12I-MC

Deskripsi: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Produsen: MPD (Memory Protection Devices)
Persediaan
RFQ
BS108,126

BS108,126

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Produsen: NXP Semiconductors / Freescale
Persediaan
RFQ
BS12I

BS12I

Deskripsi: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Produsen: MPD (Memory Protection Devices)
Persediaan
RFQ
BS108/01,126

BS108/01,126

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Produsen: NXP Semiconductors / Freescale
Persediaan
RFQ
BS12T

BS12T

Deskripsi: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS

Produsen: MPD (Memory Protection Devices)
Persediaan
RFQ
BS12I-NICAD

BS12I-NICAD

Deskripsi: NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY

Produsen: MPD (Memory Protection Devices)
Persediaan
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
BS120E0F

BS120E0F

Deskripsi: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Produsen: Sharp Microelectronics
Persediaan
RFQ
BS12T-HD

BS12T-HD

Deskripsi: 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD

Produsen: MPD (Memory Protection Devices)
Persediaan
RFQ
BS12I-22

BS12I-22

Deskripsi: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Produsen: MPD (Memory Protection Devices)
Persediaan
RFQ
BS108ZL1G

BS108ZL1G

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
BS107AG

BS107AG

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Deskripsi: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Produsen: MPD (Memory Protection Devices)
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.