Pada tanggal 29 Agustus 2024, SK Hynix mengumumkan pengembangan pertama di dunia dari 16GB (gigabit) DDR5 DRAM menggunakan proses Nanometer 10 Generasi Keenam (1C).Akibatnya, perusahaan telah menunjukkan kepada dunia teknologi penyimpanan ultra halus dengan diameter lebih dari 10 nanometer.
Sk Hynix menekankan, "Dengan generasi dengan transmisi generasi teknologi 10 nanometer dram, kesulitan pembuatan mikro juga meningkat. Namun, perusahaan telah meningkatkan penyelesaian desainnya berdasarkan teknologi Generasi Kelima (1B) yang diakui untuk kinerja tertinggi di dalamnyaindustri, dan telah memimpin dalam memecahkan batas teknologi.
Perusahaan mengembangkan proses 1C dengan memperluas platform 1B DRAM.Tim Teknologi SK Hynix percaya bahwa ini tidak hanya dapat mengurangi kemungkinan coba -coba selama proses peningkatan proses, tetapi juga secara efektif mentransfer keunggulan proses SK Hynix 1B, yang diakui untuk dram kinerja tertinggi dalam industri, ke TheProses 1c.
Selain itu, SK Hynix telah mengembangkan dan menerapkan bahan baru dalam beberapa proses EUV, dan mengoptimalkan proses yang berlaku EUV di seluruh proses, sehingga memastikan daya saing biaya.Pada saat yang sama, inovasi teknologi desain juga telah dilakukan dalam proses 1C, dan dibandingkan dengan proses 1B generasi sebelumnya, produktivitasnya telah meningkat lebih dari 30%.
Dram DDR5 1C ini terutama akan digunakan di pusat data berkinerja tinggi, dengan kecepatan berjalan 8Gbps (8 gigabit per detik), peningkatan kecepatan 11% dibandingkan dengan generasi sebelumnya.Selain itu, efisiensi energi juga meningkat lebih dari 9%.Dengan munculnya era AI, konsumsi daya pusat data terus meningkat.Jika pelanggan global yang mengoperasikan layanan cloud mengadopsi SK Hynix 1C DRAM di pusat data mereka, perusahaan memperkirakan bahwa tagihan listrik mereka dapat dikurangi hingga 30%.
Wakil Presiden Pembangunan SK Hynix DRAM Kim Jong Hwan mengatakan, "Teknologi proses 1C menggabungkan kinerja tertinggi dan daya saing biaya, dan perusahaan menerapkannya pada generasi terbaru HBM *, LPDDR6 *, GDDR7 *dan grup produk utama DRAM lainnya, lainnya, canggih lainnya,Dengan demikian memberikan nilai yang berbeda kepada pelanggan.
*HBM (memori bandwidth tinggi): produk bernilai tambah tinggi dan berkinerja tinggi yang secara vertikal menghubungkan beberapa DRAM dan secara signifikan meningkatkan kecepatan pemrosesan data dibandingkan dengan DRAM.Produk HBM DRAM dikembangkan dalam urutan HBM (Generasi Pertama) - HBM2 (Generasi Kedua) - HBM2E (Generasi Ketiga) - HBM3 (Generasi Keempat) - HBM3E (Generasi Kelima) - HBM4 (Generasi Keenam) - HBM4E (Generasi Ketujuh).
*LPDDR (Kecepatan Data Ganda Daya Rendah): Ini adalah spesifikasi DRAM yang digunakan dalam produk seluler seperti smartphone dan tablet, dengan tujuan meminimalkan konsumsi daya dan menampilkan operasi tegangan rendah.Nama spesifikasi adalah LP (Low Power), dan spesifikasi terbaru adalah LPDDR Generasi Ketujuh (5x), dikembangkan dalam urutan 1-2-3-4-4x-5x-6.
*GDDR (grafik DDR, memori laju transfer data ganda untuk grafik): Spesifikasi DRAM standar untuk grafik yang ditentukan oleh Organisasi Standar Perangkat Semikonduktor Internasional (JEDEC).Spesifikasi yang dirancang khusus untuk pemrosesan grafis, rangkaian produk ini dikembangkan dalam urutan 3, 5, 5x, 6, dan 7. Semakin baru seri, semakin cepat berjalan dan semakin tinggi efisiensi energinya.Produk ini telah menarik perhatian sebagai memori kinerja tinggi yang banyak digunakan di bidang grafik dan kecerdasan buatan.
